FQP12P20（仙童，单端场效应管，TO-220）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：FQP12P20

制造厂家名称：Fairchild 仙童半导体（已被ON安森美收购）

描述：MOSFET P-CH 200V 11.5A TO-220

系列：QFET

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：200V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：11.5A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：470 毫欧 @ 5.75A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：40nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1200pF @ 25V

功率 - 最大值：120W

安装类型：通孔

产品封装：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220

FQP12P20，仙童（Fairchild）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：FQP12P20

原始制造厂商：仙童（Fairchild），已被ON安森美收购

技术标准参数：MOSFET P-CH 200V 11.5A TO-220

产品应用分类：单端场效应管

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